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【24h】

Tunnable rectifying performance of in-plane metal-semiconductor junctions based on passivated zigzag phosphorene nanoribbons

机译：基于钝化的Z字形磷烯纳米波动的平面内金属半导体结的可调整流性能

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Using first principles density functional theory, we perform a systematic study of the band structures of passivated zigzag phosphorene nanoribbons (ZPNRs) and the transport properties of in-plane metal-semiconductor junctions. It is found that the ZPNR passivated by H, Cl or F atoms is a semiconductor, and the ZPNR passivated by C, O or S atoms is a metal. Therefore, ZPNRs with different passivated atoms can be fabricated into an in-plane metal-semiconductor junction. The calculated current-voltage characteristics indicate that these in-plane metal-semiconductor junctions can exhibit excellent rectification behavior. More importantly, we find that the type of passivated atom plays a very important role in the rectification ratio of this in-plane metal-semiconductor junction. The findings are very useful for the further design of functional nanodevices based on ZPNRs.
机译：利用第一原理函数理论，我们对钝化曲折磷烯纳米纤维（ZPNRS）的带结构进行了系统研究，以及面内金属 - 半导体结的运输性能。 结果发现，由H，Cl或F原子钝化的ZPNR是半导体，并且由C，O或S原子钝化的ZPNR是金属。 因此，具有不同钝化原子的ZPNR可以制造成面内金属半导体结。 计算的电流 - 电压特性表明这些面内金属半导体结可以表现出优异的整流行为。 更重要的是，我们发现钝化原子的类型在该平面内金属半导体结的整流比中起着非常重要的作用。 该发现对于基于ZPNRS的功能纳米模型的进一步设计非常有用。

著录项

  • 来源
    《RSC Advances》 |2018年第55期|共6页
  • 作者

    Su ShaoLong; Gong Jian; Fan Zhi-Qiang;

  • 作者单位

    Inner Mongolia Univ Sch Phys Sci &

    Technol Hohhot 010021 Peoples R China;

    Inner Mongolia Univ Sch Phys Sci &

    Technol Hohhot 010021 Peoples R China;

    Changsha Univ Sci &

    Technol Sch Phys &

    Elect Sci Changsha 410114 Hunan Peoples R China;

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  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 化学;
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