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首页> 外文期刊>Bulletin of the American Physical Society >APS -2017 Fall Meeting of the APS New England Section- Event - Phase Change Memory and Thermoelectricity
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APS -2017 Fall Meeting of the APS New England Section- Event - Phase Change Memory and Thermoelectricity

机译：APS -2017年APS新英格兰地区秋季会议-活动-相变记忆和热电

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Ability to manufacture devices with $<$ 20 nm critical features sizes is now enabling new technologies that compliment CMOS. Phase change memory (PCM) is a high-speed resistive non-volatile memory technology that has the prospect to be integrated on top of VLSI circuits, producing computer chips with large volume ($sim$ 250 GB) of non-volatile memory in a single chip. This embedded storage will eliminate the need for additional computer memory (DRAM) or a motherboard, speeding up computer performance by $> $1000x for data intensive applications. Phase change memory devices utilize glassy material which have a large resistivity contrast for their crystalline and amorphous phases. These materials can be rapidly and reversibly switched between the two phases by melting and freezing or by annealing above glass transition temperature using electric current ($sim$ 1-10 MA/cm$^2$). As the temperature of a small volume is increased rapidly while generating a large thermal gradient ($sim$ 10 Km), thrermoelectric effects play a significant role.
机译：现在，制造具有关键特征尺寸小于20美元的器件的能力正在使与CMOS相辅相成的新技术成为可能。相变存储器（PCM）是一种高速电阻型非易失性存储器技术，有望在VLSI电路上集成，从而在计算机中生产出具有大容量（sim $ 250 GB）非易失性存储器的计算机芯片。单片机。这种嵌入式存储将消除对额外的计算机内存（DRAM）或主板的需求，从而将数据密集型应用的计算机性能提高了1000美元以上。 相变存储设备采用玻璃材料，其晶体具有较大的电阻率差异和非晶相。这些材料可以通过熔化和冷冻或通过在高于玻璃化转变温度的条件下使用电流退火（$ 1-10 MA / cm 2）来快速可逆地在两相之间切换。由于小体积的温度迅速升高，同时产生较大的热梯度（约10 K / nm），因此热电效应起着重要作用。

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