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n-Type conducting P doped ZnO thin films via chemical vapor deposition

机译：N型通过化学气相沉积导电P掺杂ZnO薄膜

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Extrinsically doped ZnO thin films are of interest due to their high electrical conductivity and transparency to visible light. In this study, P doped ZnO thin films were grown on glass substrates via aerosol assisted chemical vapour deposition. The results show that P is a successful dopant for ZnO in the V+ oxidation state and is able to reduce resistivity to 6.0 × 10 ~(?3) Ω cm while maintaining visible light transmittance at ～75%. The thins films were characterized by X-ray diffraction studies that showed only Bragg peaks for the wurtzite ZnO phase. Fitting of the diffraction data to a Le Bail model also showed a general expansion of the ZnO unit cell upon doping due to the substitution of Zn ~(2+) ions with the larger P ~(5+) .
机译：由于其高导电性和可见光的透明度，外部掺杂的ZnO薄膜非常感兴趣。在该研究中，通过气溶胶辅助化学气相沉积在玻璃基材上生长P掺杂ZnO薄膜。结果表明，P是V +氧化态中ZnO的成功掺杂剂，能够将电阻率降低至6.0×10〜（α3）Ωcm，同时保持〜75％的可见光透射率。通过X射线衍射研究的特征在于X射线衍射研究的特征在于，所以仅显示紫硝钛矿ZnO相的布拉格峰。衍射数据拟合到Le保释模型还由于Zn〜（2+）离子的较大P〜（5+）的取代而掺杂ZnO单元电池的一般膨胀。

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