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首页> 外文期刊>IEEE Electron Device Letters >Highly Scalable Horizontal Channel 3-D NAND Memory Excellent in Compatibility With Conventional Fabrication Technology
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Highly Scalable Horizontal Channel 3-D NAND Memory Excellent in Compatibility With Conventional Fabrication Technology

机译：高度可扩展的水平通道3-D NAND存储器，与常规制造技术具有出色的兼容性

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We developed a stacked horizontal channel type floating gate (HC-FG) NAND memory; a 3-D stacked NAND array composed of conventional FG cells. With this cell structure, a wide program/erase (P/E) window is obtained, accompanied by superior read disturb immunity, P/E endurance, and data retention. In addition, we propose a low-cost layer select transistor (LST) that is easily integrated with the HC-FG cell. Because the 3-D memory composed of the HC-FG cell and the LST has good compatibility with conventional fabrication technology, further bit cost scaling is expected.
机译：我们开发了堆叠式水平通道型浮栅（HC-FG）NAND存储器；由常规FG单元组成的3-D堆叠NAND阵列。通过这种单元结构，可以获得宽的编程/擦除（P / E）窗口，并具有出色的读取干扰抗扰性，P / E耐久性和数据保留能力。另外，我们提出了一种易于与HC-FG单元集成的低成本层选择晶体管（LST）。由于由HC-FG单元和LST组成的3-D存储器与常规制造技术具有良好的兼容性，因此有望进一步降低位成本。

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