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首页> 外文期刊>IEEE Electron Device Letters >Threshold voltage dependence of LOCOS-isolated thin-film SOI NMOSFET on buried oxide thickness
【24h】

Threshold voltage dependence of LOCOS-isolated thin-film SOI NMOSFET on buried oxide thickness

机译：LOCOS隔离的薄膜SOI NMOSFET的阈值电压对掩埋氧化物厚度的依赖性

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Effects of buried oxide thickness on short-channel effect of LOCOS-isolated thin-film SOI n-MOSFETs have been investigated. Devices fabricated on SOI substrate with thin (100 nm) buried oxide have smaller roll-off of threshold voltage than those fabricated on SOI substrate with thick (400 nm) buried oxide. This is caused by a different boron concentration at the silicon film that results from the difference of stress with the buried oxide thickness. In the case of thin buried oxide, higher volumetric expansion of the field oxide causes higher stress at the interface between the silicon film and the surrounding oxide, including field and buried oxide, which prevents boron atoms from diffusing beyond the interface.
机译：研究了掩埋氧化物厚度对LOCOS隔离的薄膜SOI n-MOSFET的短沟道效应的影响。在具有薄（100 nm）掩埋氧化物的SOI衬底上制造的器件比在具有厚（400 nm）掩埋氧化物的SOI衬底上制造的器件具有更小的阈值电压滚降。这是由于应力与埋入氧化物厚度的差异导致硅膜上硼浓度不同而引起的。在薄的掩埋氧化物的情况下，场氧化物的更高的体积膨胀在硅膜与周围氧化物之间的界面处（包括场氧化物和掩埋氧化物）引起更高的应力，这防止了硼原子扩散到界面之外。

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