CMOS-kompatible 200-mm-Plattform in GaN

STEVE STOFFELS; DENISMARCON; STEFAAN DECOUTERE

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【24h】

CMOS-kompatible 200-mm-Plattform in GaN

机译：GaN中与CMOS兼容的200mm平台

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Bei den Leistungshalbleitern kommen die ersten GaN-Transistoren auf den Markt. Wie SiC ist auch GaN ist ein teures Material, es lässt sich aber gut in dünnen Schichten auf preisgünstigem Silizium aufwachsen. Das Gebiet der Leistungselektronik wird derzeit mehr oder weniger von Silizium-basierten Bausteinen dominiert. Doch die Industrie hat inzwischen die Grenzen dessen erreicht, was mit Silizium in Bezug auf die Effizienz und Betriebsfrequenz machbar ist. Weitere Verbesserungen der Silizium-basierten Schaltungen bedingen recht komplexe 3D-Architekturen.

机译：首批GaN晶体管进入功率半导体市场。像SiC一样，GaN是一种昂贵的材料，但可以在便宜的硅上以薄层的形式很好地生长。当前，电力电子领域或多或少地被基于硅的组件所控制。但是，就效率和工作频率而言，该行业现在已经达到了可以用硅完成的极限。基于硅的电路的进一步改进需要相当复杂的3D架构。

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《Elektronikpraxis》 |2013年第9appa期|81012|共3页
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STEVE STOFFELS; DENISMARCON; STEFAAN DECOUTERE;
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