...
首页> 外文期刊>Przeglad Elektrotechniczny >Zależność parametrów modelu przejściowej impedancji termicznej tranzystora MOS mocy od konstrukcji układu chłodzenia
【24h】

Zależność parametrów modelu przejściowej impedancji termicznej tranzystora MOS mocy od konstrukcji układu chłodzenia

机译:功率MOS晶体管的瞬态热阻抗模型的参数对冷却系统设计的依赖性

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           

摘要

W pracy przedstawiono wyniki badań eksperymentalnych, ilustrujących wpływ takich czynników jak wielkość pól lutowniczych, powierzchnia miedzi na płytce drukowanej oraz zastosowanie wodnego systemu chłodzenia na parametry modelu przejściowej impedancji termicznej Z_(th)(t) tranzystora MOS mocy. Pomiary Z_(th)(t) wykonano pośrednią metodą elektryczną, a wartości parametrów jej modelu wyznaczono przy wykorzystaniu autorskiego algorytmu. W oparciu o uzyskane wyniki badań wskazano zależność między konstrukcją układu chłodzenia a parametrami modelu cieplnego tego elementu.%The paper presents the results of experimental studies that illustrate the influence of the selected factors, i.e. the size of soldering pads, the PCS copper area as well as the use of aqueous cooling system on the transient thermal impedance model parameters of MOSFET. Measurements of thermal parameters were performed using the indirect electrical method. Parameters of the transient thermal impedance model were calculated using the estimation procedure elaborated by the authors. The obtained results show an influence of the system cooling parameters on the thermal model parameters of the semiconductor device.
机译:本文提供了实验研究的结果,阐明了诸如焊接区大小,印刷电路板上的铜表面以及使用水冷系统等因素对瞬态热阻模型Z_(th)(t)MOS功率晶体管的参数的影响。 Z_(th)(t)测量是使用间接电法进行的,她模型的参数值是使用作者的算法确定的。根据获得的研究结果,指出了冷却系统的设计与该元件的热模型参数之间的关系,并提出了实验研究的结果,说明了所选因素的影响,即:焊盘的尺寸,PCS铜面积以及使用水冷系统对MOSFET的瞬态热阻模型参数的影响。使用间接电气方法进行热参数的测量。瞬态热阻模型的参数是使用作者精心设计的估算程序来计算的。获得的结果显示了系统冷却参数对半导体器件的热模型参数的影响。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号