InGaAs/InAlAs/AlAs heterostructure barrier varactors for harmonic multiplication

Melique X.; Carbonell J.

首页> 外文期刊>IEEE Microwave and Guided Wave Letters >InGaAs/InAlAs/AlAs heterostructure barrier varactors for harmonic multiplication

【24h】

InGaAs/InAlAs/AlAs heterostructure barrier varactors for harmonic multiplication

机译：用于谐波倍增的InGaAs / InAlAs / AlAs异质结构势垒变容二极管

获取原文

获取原文并翻译 | 示例

掌桥外文数据库（机构版） >>

开具论文收录证明 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

In this work, we report on the radio frequency (RF) characterization up to 110 GHz of probable high-performance heterostructure barrier varactors fabricated from InP-based strained epilayers. By making use of a dual step-like barrier scheme, the voltage handling is as high as 12 V whereas the capacitance ratio at 85 GHz achieves 5:1 for a zero-bias capacitance of 1 fF//spl mu/m/sup 2/ without deviation in the frequency band investigated. Good agreement between calculated and measured scattering parameters is found on the basis of electromagnetic simulation of diode embedding.

机译：在这项工作中，我们报告了由基于InP的应变外延层制造的可能的高性能异质结构势垒变容二极管的高达110 GHz的射频（RF）特性。通过使用双阶梯状势垒方案，电压处理高达12 V，而对于1 fF // spl mu / m / sup 2的零偏置电容，在85 GHz时的电容比达到5：1。 /在调查的频带中没有偏差。根据二极管嵌入的电磁仿真，发现计算出的散射参数和测量的散射参数之间具有良好的一致性。

著录项

来源
《IEEE Microwave and Guided Wave Letters》 |1998年第7期|P.254-256|共3页
作者
Melique X.; Carbonell J.;
展开▼
作者单位

展开▼
收录信息
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类无线电电子学、电信技术;
关键词

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Optimum barrier thickness study for the InGaAs/InAlAs/AlAs heterostructure barrier varactor diodes [J] . T. A. Emadi, T. Bryllert, M. Sadeghi, Applied Physics Letters . 2007,第1期

机译：InGaAs / InAlAs / AlAs异质结构势垒变容二极管的最佳势垒厚度研究
2. InGaAs/InAlAs/AlAs Heterostructure Barrier Varactors on Silicon Substrate [J] . Tavakoli Dastjerdi M. H.Sanz-Velasco A.Vukusic J.Kollberg E. L.Sadeghi M.Stake J. Electron Device Letters, IEEE . 2011,第2期

机译：硅衬底上的InGaAs / InAlAs / AlAs异质结构势垒变容二极管
3. High capacitance ratio with GaAs/InGaAs/AlAs heterostructure quantum well-barrier varactors [J] . Duez V., Melique X. Electronics Letters . 1998,第19期

机译：GaAs / InGaAs / AlAs异质结构量子阱势垒变容二极管的高电容比
4. The impact of pseudomorphic AlAs spacer layers on the gate leakage current of InAlAs/InGaAs heterostructure field-effect transistors [C] . Auer, U., Reuter, Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on . 1995

机译：亚型AlAs隔离层对InAlAs / InGaAs异质结构场效应晶体管栅极漏电流的影响
5. Millimeter and sub-millimeter wave heterostructure barrier varactor frequency multipliers. [D] . Xiao, Qun. 2005

机译：毫米波和亚毫米波异质结构势垒变容二极管倍频器。
6. Optimization of MBE Growth Conditions of In0.52Al0.48As Waveguide Layers for InGaAs/InAlAs/InP Quantum Cascade Lasers [O] . Piotr Gutowski, Iwona Sankowska, Tomasz Słupiński, 2019

机译：InGaAs / InAlAs / InP量子级联激光器的In0.52Al0.48As波导层MBE生长条件的优化
7. Optimum barrier thickness study for the InGaAs/InAlAs/AlAs heterostructure barrier varactor diodes [O] . Emadi, T. Arezoo, Bryllert, Tomas, Sadeghi, Mahdad, 2007

机译：InGaAs / InAlAs / AlAs异质结构势垒变容二极管的最佳势垒厚度研究
8. Growth and properties of InGaAs/FeAl/InAlAs/InP heterostructures for buried reflector/interconnect applications in InGaAs thermophotovoltaic devices [R] . Ringel, S. A. , Sacks, R. N. , Qin, L. , 1998

机译：用于InGaas热光电器件中埋入式反射器/互连应用的InGaas / Feal / Inalas / Inp异质结构的生长和性质

InGaAs/InAlAs/AlAs heterostructure barrier varactors for harmonic multiplication

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅