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首页> 外文期刊>IEEE Microwave and Guided Wave Letters >A novel monolithic LNA integrating a common-source HEMT with an HBT Darlington amplifier
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A novel monolithic LNA integrating a common-source HEMT with an HBT Darlington amplifier

机译：新型单片LNA，集成了共源HEMT和HBT达林顿放大器

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Here we report on the results of a novel HEMT-HBT LNA MMIC fabricated using selective molecular beam epitaxy (MBE) techniques. This unique circuit monolithically integrates a low-noise common-source HEMT with an HBT Darlington feedback amplifier to achieve high gain, low noise figure, and wide bandwidth utilizing a compact direct-coupled topology. The miniature direct-coupled MMIC is 0.9/spl times/0.7 mm/sup 2/ in size and obtains 1-8 GHz bandwidth, greater than 17.5 dB gain, and a minimum noise figure of 2.5 dB. The maximum IP3 is 18 dBm with a saturated output power (P/sub sat/)<12 dBm. The HEMT-HBT amplifier achieves comparable P/sub sat/ performance to the conventional HBT-only Darlington amplifier while achieving over 2-dB reduction in noise figure across the band. This work benchmarks the first HEMT-HBT MMIC that illustrates microwave performance advantages when compared to an HBT-only design.
机译：在这里我们报告使用选择性分子束外延（MBE）技术制造的新型HEMT-HBT LNA MMIC的结果。这种独特的电路将紧凑型低噪声共源HEMT与HBT达林顿反馈放大器集成在一起，从而利用紧凑的直接耦合拓扑结构实现了高增益，低噪声系数和宽带宽。微型直接耦合MMIC的尺寸为0.9 / spl倍/0.7 mm / sup 2 /，并获得1-8 GHz带宽，大于17.5 dB的增益和2.5 dB的最小噪声系数。最大IP3为18 dBm，饱和输出功率（P / sub sat /）<12 dBm。 HEMT-HBT放大器可实现与仅传统HBT的达灵顿放大器相当的P / sub sat /性能，同时在整个频带内的噪声系数降低超过2dB。这项工作对第一个HEMT-HBT MMIC进行了基准测试，该MMIC说明了与仅HBT设计相比微波性能的优势。

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