X-band monolithic power amplifier using low characteristic impedance thin-film microstrip transformers

Gillick M.; Robertson I.D.

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X-band monolithic power amplifier using low characteristic impedance thin-film microstrip transformers

机译：使用低特性阻抗薄膜微带变压器的X波段单片功率放大器

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A technique is introduced for matching monolithic power amplifiers by using short thin-film microstrip transformers with very low characteristic impedance. An X-band power FET amplifier has been successfully realized with this technique, using a standard GaAs foundry, two-level metal process. The amplifier has achieved over 5.5-dB small-signal gain and an output power of 1 W at a center frequency of 11.3 GHz. This matching technique can greatly reduce the area of the matching networks compared with conventional microstrip techniques which rely on cluster matching and power dividing/combining.

机译：通过使用具有极低特征阻抗的短薄膜微带变压器，引入了一种用于匹配单片功率放大器的技术。 X波段功率FET放大器已通过此技术成功实现，它使用标准的GaAs铸造厂的两级金属工艺。该放大器在11.3 GHz的中心频率上已实现5.5 dB以上的小信号增益和1 W的输出功率。与依靠簇匹配和功率分配/组合的常规微带技术相比，该匹配技术可以大大减小匹配网络的面积。

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来源
《IEEE Microwave and Guided Wave Letters》 |1992年第8期|P.328-330|共3页
作者
Gillick M.; Robertson I.D.;
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原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类无线电电子学、电信技术;
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