Zinc-Blende Structure of CrTe Epilayers Grown on GaAs

Sreenivasan M.G.; Teo K.L.; Jalil M.B.A.; Liew T.; Chong T.C.; Du A.Y.

首页> 外文期刊>IEEE Transactions on Magnetics >Zinc-Blende Structure of CrTe Epilayers Grown on GaAs

【24h】

Zinc-Blende Structure of CrTe Epilayers Grown on GaAs

机译：GaAs上生长的CrTe外延层的Zn-Blende结构

获取原文

获取原文并翻译 | 示例

掌桥外文数据库（机构版） >>

开具论文收录证明 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

We report the synthesis of zinc-blende CrTe (zb–CrTe) as highly oriented crystalline grains in films of 100-nm thickness. The structural properties of the film were characterized using high-resolution transmission electron microscopy (HRTEM) and selective-area electron diffraction (SAED). Temperature-dependent magnetization measurements show that the Curie temperature of the film is$sim$327 K. Angular M–H measurements indicate that the CrTe films have an in-plane easy axis of magnetization along the$[0bar 1 1]$direction of GaAs.

机译：我们报道了在100 nm厚度的薄膜中作为高取向晶粒的混合型ZnTe CrTe（zb–CrTe）的合成。使用高分辨率透射电子显微镜（HRTEM）和选择性区域电子衍射（SAED）对薄膜的结构性能进行了表征。随温度变化的磁化强度测量结果表明，薄膜的居里温度为sim $ 327K。MH角测量表明，CrTe薄膜沿GaAs的[0bar 1 1] $方向具有平面内易磁化轴。。

著录项

来源
《IEEE Transactions on Magnetics》 |2006年第2006期|p.2691-2693|共3页
作者
Sreenivasan M.G.; Teo K.L.; Jalil M.B.A.; Liew T.; Chong T.C.; Du A.Y.;
展开▼
作者单位

展开▼
收录信息
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类磁性材料、铁氧体;计量学;
关键词
CrTe; ferromagnetic; molecular-beam epitaxy; zinc-blende; CrTe; ferromagnetic; molecular-beam epitaxy; zinc-blende;

机译：CrTe;铁磁;分子束外延;掺锌;CrTe;铁磁;分子束外延;掺锌;

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Correlation between tetragonal zinc-blende structure and magnetocrystalline anisotropy of MnGa epilayers on GaAs(111) [J] . A.W. Arins, H.F. Jurca, J. Zarpellon, Journal of magnetism and magnetic materials . 2015,第may期

机译：GaAs（111）上MnGa外延层的四方晶状闪锌矿结构与磁晶各向异性的相关性
2. Study of the wurtzite zinc-blende mixed-structured GaAs nanocrystals grown on Si (111) substrates [J] . Matsumoto K., Yasuda H., Mori H., Philosophical magazine: structure and properties of condensed matter . 2013,第7a9期

机译：Si（111）衬底上生长的纤锌矿型混合锌GaAs纳米晶体的研究
3. Crystal structures of hexagonal MnAs ferromagnetic epilayers grown on GaAs (100) substrates [J] . Kim TW, Lee HS, Lee JY, Journal of Crystal Growth . 2006,第1期

机译：在GaAs（100）衬底上生长的六角形MnAs铁磁外延层的晶体结构
4. Zinc-Blende Structure of CrTe Epilayers Grown on GaAs [C] . M. Sreenivasan, K. Teo, A. Du, Intermag Conference . 2006

机译：在纱布上生长的CrTe癫痫锌的锌混合结构
5. Reducing Threading Dislocation in GaSb Epilayer Grown on GaAs Substrate for Photovoltaic and Thermophotovoltaic Application [D] . Mansoori, Ahmad. 2019

机译：减少在GaAs底物上生长在GaAs底物上的喘气脱位，用于光伏和蒸煮器应用
6. Strain-induced high ferromagnetic transition temperature of MnAs epilayer grown on GaAs (110) [O] . Pengfa Xu, Jun Lu, Lin Chen, 2011

机译：GaAs（110）上生长的MnAs外延层应变诱导的高铁磁转变温度
7. Magnetization reversal and anomalous coercive field temperature dependence in MnAs epilayers grown on GaAs(100) and GaAs(111)B [O] . Steren, L. B., Milano, J., Garcia, V., 2006

机译：磁化反转和异常强制场温度在Gaas（100）和Gaas（111）B上生长的mnas外延层中的依赖性
8. Low-Dislocation-Density GaAs Epilayers Grown on Ge-Coated Si Substrates by Means of Lateral Epitaxial Overgrowth. [R] . Tsaur, B. Y., McClelland, R. W., Fan, J. C. C., 1982

机译：通过横向外延过度生长在Ge涂层si衬底上生长的低位错密度Gaas外延层。

Zinc-Blende Structure of CrTe Epilayers Grown on GaAs

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅