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【24h】

Flip Chip Based on Carbon Nanotube–Carbon Nanotube Interconnected Bumps for High-Frequency Applications

机译：基于碳纳米管-碳纳米管互连凸点的倒装芯片，用于高频应用

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This paper presents a flip-chip structure based on carbon nanotube (CNT) interconnected bumps for high-frequency applications. The CNT bumps are grown directly on gold coplanar lines using the plasma-enhanced chemical vapor deposition approach, and the CNT bumps are interconnected using a flip-chip bonder. DC and high-frequency measurements from flip-chip input to output are characterized and compared against electromagnetic simulation of CNT bumps and gold bumps. S-parameter transmission of $-$ 2.5 dB up to 40 GHz was obtained using CNT bumps in this experiment. Experimental transmission across the CNT bumps demonstrates the feasibility of using CNT bundles for future interconnects at smaller scale (few micrometers) and at even higher frequencies. This is the first work using CNT bumps for flip-chip structures and serves as a platform for future studies of CNT interconnects above 40 GHz.
机译：本文介绍了一种用于高频应用的基于碳纳米管（CNT）互连凸点的倒装芯片结构。 CNT凸点使用等离子增强化学气相沉积方法直接在金共面线上生长，并且CNT凸点使用倒装芯片键合器互连。表征了从倒装芯片输入到输出的直流和高频测量结果，并将其与CNT凸点和金凸点的电磁仿真进行了比较。在本实验中，使用CNT凸块获得了高达40 GHz的 $-$ 2.5 dB的S参数传输。跨CNT凸块的实验传输证明了将CNT束用于较小规模（几微米）甚至更高频率的未来互连的可行性。这是将CNT凸块用于倒装芯片结构的第一项工作，并为将来研究40 GHz以上的CNT互连提供了平台。

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