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Detection of Sub-Design Rule Shorts for Process Development in Advanced Technology Nodes

机译：检测高级设计节点中用于流程开发的子设计规则短裤

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Electric shorts down to atomic scale have emerged as the most critical yield detractors in advanced technology process development. In this paper, we demonstrate successful detection by various charging dynamic effects which stem from the transistor level response under electron beam exposure. We found that charging dynamic effects coupled with photon or scan direction are exceptionally useful for critical voltage contrast defect detection. Correlation with other characterization methods on the same defective location from electron beam inspection scan shows consistent results for various shorting mechanisms.
机译：在先进技术工艺开发中，最小化为原子级的电短路已成为最关键的减产因素。在本文中，我们通过各种充电动态效应证明了成功的检测效果，这些动态效应源自电子束暴露下的晶体管电平响应。我们发现，充电动态效应与光子或扫描方向相结合，对于临界电压对比度缺陷检测非常有用。通过电子束检查扫描，在相同缺陷位置上与其他表征方法的相关性显示了各种短路机制的一致结果。

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