Surface acoustic waves in a gallium arsenide-conducting layerstructure

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• 来源
  《IEEE Transactions on Ultrasonics, Ferroelectrics, and Frequency Control》 |1996年第6期|p.1130-1132|共3页
• 作者

  Zaitsev B.D.; Kuznetsova I.E.;

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• 作者单位

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• 收录信息
• 原文格式 PDF
• 正文语种 eng
• 中图分类 声学工程;计量学;
• 关键词

  III-V semiconductors; acoustic materials; gallium arsenide; piezoelectric semiconductors; surface conductivity; ultrasonic velocity; (001) cut anisotropic GaAs substrate; GaAs; GaAs conducting layer structure; SAW propagation; SAW velocity; 110 piezoactive direct;

  机译：III-V类半导体;声学材料;砷化镓;压电半导体;表面电导率;超声速度;（001）切割各向异性GaAs衬底;GaAs;GaAs导电层结构;SAW传播;SAW速度;[110]压电活性直接;