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机译:热退火作为控制磁性半导体CdCr_2Se_4性能的一种手段
Russian Acad Sci Prokhorov Gen Phys Inst Ul Vavilova 38 Moscow 119991 Russia;
Russian Acad Sci Kurnakov Inst Gen & Inorgan Chem Leninskii Pr 31 Moscow 119991 Russia;
ferromagnetic semiconductor CdCr2Se4; spinels; Curie temperature; magnetic moment; doping; annealing;
机译:铁磁半导体CdCr2S4和CdCr_2Se_4的能隙和光学性质:改进的密度泛函理论研究
机译:退火气氛对Zn_(0.95)Cu_(0.02)Cr_(0.03)O稀磁半导体结构,光学和磁性的影响
机译:通过受控的环境退火工艺来增加磁性半导体中的Mn替代
机译:磁半导体CDCR_2SE_4中法拉第旋转和光学吸收的非线性效应
机译:通过制造方法控制铁磁半导体(镓,锰)砷的磁性。
机译:磁性半导体(ZnCo)O的门控磁性
机译:氮化和退火对热氧化siO2 / siC金属氧化物半导体体系界面性能的影响
机译:光束退火和热退火半导体的少数载波研究