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Thermal Annealing As a Means of Controlling the Properties of the Magnetic Semiconductor CdCr_2Se_4

机译:热退火作为控制磁性半导体CdCr_2Se_4性能的一种手段

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摘要

-We have demonstrated the feasibility of doping CdCr2Se4 single crystals with Group III elements (Ga, In, and Al) during annealing and identified relationships between annealing conditions, the composition of annealing mixtures, and properties of the crystals. Annealing mixture compositions have been found that ensure the possibility of preparing CdCr2Se4 single crystals with a considerably increased Curie temperature. We have performed multistep annealing of particular samples, which has made it possible to understand the role of each mixture component.
机译:-我们已经证明了在退火过程中用III族元素(Ga,In和Al)掺杂CdCr2Se4单晶的可行性,并确定了退火条件,退火混合物的组成和晶体性能之间的关系。已经发现退火混合物组成确保了在居里温度明显升高的情况下制备CdCr2Se4单晶的可能性。我们对特定样品进行了多步退火,这使得了解每种混合物组分的作用成为可能。

著录项

  • 来源
    《Inorganic materials》 |2019年第11期|1092-1096|共5页
  • 作者

  • 作者单位

    Russian Acad Sci Prokhorov Gen Phys Inst Ul Vavilova 38 Moscow 119991 Russia;

    Russian Acad Sci Kurnakov Inst Gen & Inorgan Chem Leninskii Pr 31 Moscow 119991 Russia;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

    ferromagnetic semiconductor CdCr2Se4; spinels; Curie temperature; magnetic moment; doping; annealing;

    机译:铁磁半导体CdCr2Se4;尖晶石;居里温度磁矩掺杂退火;

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