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首页> 外文期刊>International journal of RF and microwave computer-aided engineering >A Millimeter-Wave CMOS Power Amplifier Design Using High-Q Slow-Wave Transmission Lines
【24h】

A Millimeter-Wave CMOS Power Amplifier Design Using High-Q Slow-Wave Transmission Lines

机译：使用高Q慢波传输线的毫米波CMOS功率放大器设计

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A three-stage 60-GHz power amplifier (PA) has been implemented in a 65 nmrnComplementary Metal Oxide Semiconductor (CMOS) technology. High-quality-factor slowwaverncoplanar waveguides (S-CPW) were used for input, output and inter-stage matching networksrnto improve the performance. Being biased for Class-A operation, the PA exhibits a measuredrnpower gain G of 18.3 dB at the working frequency, with a 3-dB bandwidth of 8.5 GHz. Thernmeasured 1-dB output compression point (OCP_(1dB)) and the maximum saturated output powerrnP_(sat) are 12 dBm and 14.2 dBm, respectively, with a DC power consumption of 156 mW underrn1.2 V voltage supply. The measured peak power added efficiency PAE is 16%. The die area isrn0.52 mm~2 (875 × 600 μm~2) including all the pads, whereas the effective area is only 0.24 mm~2. Inrnaddition, the performance improvement of the PA in terms of G, OCP_(1dB), P_(sat), PAE and the figurernof merit using S-CPW instead of thin film microstrip have been demonstrated.
机译：三阶段60 GHz功率放大器（PA）已在65 nmrn互补金属氧化物半导体（CMOS）技术中实现。高质量因子慢波共面波导（S-CPW）用于输入，输出和级间匹配网络，以提高性能。被偏置为A类工作时，PA在工作频率下测得的功率增益G为18.3 dB，3 dB带宽为8.5 GHz。在1.2 V电压下，测得的1 dB输出压缩点（OCP_（1dB））和最大饱和输出功率rnP_（sat）分别为12 dBm和14.2 dBm，直流功耗为156 mW。测得的峰值功率附加效率PAE为16％。包括所有焊盘的管芯面积为0.52 mm〜2（875×600μm〜2），而有效面积仅为0.24 mm〜2。此外，已证明使用S-CPW代替薄膜微带可以改善PA的G，OCP_（1dB），P_（sat），PAE和数字品质方面的性能。

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