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一款基于慢波线匹配的CMOS毫米波低噪声放大器设计

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本文详述了一款基于互补金属氧化物CMOS65纳米工艺的毫米波低噪声放大器电路的设计.为了提高放大器的线性增益,该款低噪声放大器采用共栅共源、三级级联的拓扑结构.同时,为了进一步提高放大器的噪声性能,放大器采用了高品质因素的慢波共面波导S-CPW(Slow-wave Coplanar Waveguide)作为阻抗匹配电路.仿真结果表明,此款低噪声放大器拥有近6GHz的工作带宽(57GHz～63GHz),在60GHz时线性增益为17dB,噪声系数为5.8dB,输入输出的回波损耗均优于-25dB,输入l-dB压缩点P1dB功率为-16dBm,输入三阶交调截取点IIP3为-7.5dBm.放大器的工作电压为1.2V,三级电路总直流电流为22.5mA,直流功耗约为27mW,芯片总面积0.43mm2(990um x440um).

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来源
《2015年全国微波毫米波会议》|2015年|1285-1288|共4页
会议地点合肥
作者
TANG Xiaolan; 唐小兰;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN722.3:TN702;
关键词
低噪声放大器; 电路设计; 互补金属氧化物; 线性增益;

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