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【24h】

Annealing of p-type wide-gap CuxZnyS thin films deposited by the photochemical deposition method

机译：光化学沉积法沉积p型宽禁带CuxZnyS薄膜的退火

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Zn-rich CuxZnyS is a transparent p-type semiconductor. We prepared CuxZnyS thin films by the photochemical deposition method and investigated changes in their properties due to annealing. The sample before annealing was amorphous, and its composition was Cu : Zn : S : O = 0: 04 : 0: 51 : 0: 31 : 0: 14. The band gap was estimated to be about 3.5 eV by optical transmission measurement. P-type conductivity was confirmed by the photoelectrochemical measurement. After annealing at 400 degrees C for 1 h, the formation of the ZnS phase was observed by X-ray diffraction measurement. Although the band gap did not change significantly, the conduction type became close to intrinsic. (C) 2016 The Japan Society of Applied Physics
机译：富锌CuxZnyS是透明的p型半导体。我们通过光化学沉积方法制备了CuxZnyS薄膜，并研究了退火引起的薄膜性能变化。退火前的样品为非晶质，其组成为Cu：Zn：S：O ＝ 0：04：0：51：0：31：0：14。通过光学透射率测量，带隙估计为约3.5eV。通过光电化学测量确认P型电导率。在400℃下退火1小时后，通过X射线衍射测量观察到ZnS相的形成。尽管带隙没有明显改变，但是导电类型变得接近本征。 （C）2016年日本应用物理学会

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  • 来源
    《Japanese journal of applied physics》 |2016年第9期|098004.1-098004.3|共3页
  • 作者

    Tong Bayingaerdi; Ichimura Masaya;

  • 作者单位

    Nagoya Inst Technol, Dept Engn Phys Elect & Mech, Nagoya, Aichi 4668555, Japan;

    Nagoya Inst Technol, Dept Engn Phys Elect & Mech, Nagoya, Aichi 4668555, Japan;

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