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一种双电位阶跃法电沉积后硫化退火制备铜铟镓硫太阳能电池薄膜材料的方法

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本发明公开了一种双电位阶跃法电沉积后硫化退火制备铜铟镓硫太阳能电池薄膜材料的方法。先以铜和镓的金属盐为主要原料，按一定浓度溶解于离子液体中，在ITO导电玻璃上以双电位循环阶跃法电沉积制备铜镓前驱体薄膜，再将前驱体薄膜硫化退火，退火过程中ITO导电层中的铟扩散到薄膜中，最终生成铜铟镓硫薄膜。相对于传统的恒电位沉积技术，本发明通过控制双电位脉冲电势可以实现对薄膜的晶相、成分、形貌等的可控制备，具有减少孔洞结构、改善薄膜形貌、提高电镀速率等优点，且沉积过程无析氢反应对薄膜产生的不利影响。与高真空气相法相比，本发明具有成膜质量好、成本低廉、可控性强等优点。

著录项

公开/公告号CN105226117B

专利类型发明专利
公开/公告日2016-11-30

原文格式PDF
申请/专利权人湘潭大学;
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申请/专利号CN201510627245.1
发明设计人杨穗;曹洲;钟建新;易捷;
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申请日2015-09-28
分类号
代理机构湘潭市汇智专利事务所(普通合伙);
代理人冷玉萍
地址 411105 湖南省湘潭市雨湖区羊牯塘27号
入库时间 2022-08-23 09:49:41

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2016-11-30

授权

授权
2016-02-03

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/032 申请日:20150928

实质审查的生效
2016-01-06

公开

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