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首页> 外文期刊>Japanese journal of applied physics >Characteristics of highly stacked InAs quantum-dot laser grown on vicinal (001)InP substrate
【24h】

Characteristics of highly stacked InAs quantum-dot laser grown on vicinal (001)InP substrate

机译：在相邻（001）InP衬底上生长的高度堆叠的InAs量子点激光器的特性

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We fabricate broad-area laser diodes consisting of 30-layer stacks of InAs quantum dots by using a strain-compensation technique on a vicinal (001)InP substrate. These laser diodes exhibit ground-state lasing at 1576 nm in the pulsed mode with a high characteristic temperature of 111K at around room temperature (20-80 degrees C). (C) 2016 The Japan Society of Applied Physics
机译：我们通过在邻近（001）InP衬底上使用应变补偿技术，制造了由30层InAs量子点堆叠组成的广域激光二极管。这些激光二极管在大约室温（20-80摄氏度）下以脉冲模式在1576 nm处表现出基态激光，并具有111K的高特征温度。 （C）2016年日本应用物理学会

著录项

  • 来源
    《Japanese journal of applied physics》 |2016年第4s期|04EJ16.1-04EJ16.4|共4页
  • 作者

    Akahane Kouichi; Umezawa Toshimasa; Matsumoto Atsushi; Yamamoto Naokatsu; Kawanishi Tetsuya;

  • 作者单位

    Natl Inst Informat & Commun Technol, Koganei, Tokyo 1848795, Japan;

    Natl Inst Informat & Commun Technol, Koganei, Tokyo 1848795, Japan;

    Natl Inst Informat & Commun Technol, Koganei, Tokyo 1848795, Japan;

    Natl Inst Informat & Commun Technol, Koganei, Tokyo 1848795, Japan;

    Natl Inst Informat & Commun Technol, Koganei, Tokyo 1848795, Japan|Waseda Univ, Shinjuku Ku, Tokyo 1698555, Japan;

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