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Impact of the silicon on diamond structure for high temperature switching applications

机译：硅对高温开关应用中金刚石结构的影响

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This paper reports comparisons of silicon-on-diamond (SOD) structure to the conventional silicon-on-insulator (SOI) for high temperature switching applications. For high temperature applications (> 473 K), major loss is caused by on-resistance and leakage current. Shrinking the channel length increases loss at 573 K. The power MOSFETs fabricated on SOD substrate shows lower loss compared with that fabricated on the conventional SOI substrate because the SOD can suppress the self heating effect. (C) 2015 The Japan Society of Applied Physics
机译：本文报告了用于高温开关应用的金刚石覆晶硅（SOD）结构与常规绝缘体覆硅（SOI）的比较。对于高温应用（> 473 K），主要的损耗是由导通电阻和漏电流引起的。缩小沟道长度会增加573 K的损耗。与传统SOI衬底相比，在SOD衬底上制造的功率MOSFET损耗更低，因为SOD可以抑制自热效应。 （C）2015年日本应用物理学会

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