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首页> 外文期刊>Japanese journal of applied physics >Static and switching characteristics of 3.3 kV double channel-doped SiC vertical junction field effect transistor in cascode configuration
【24h】

Static and switching characteristics of 3.3 kV double channel-doped SiC vertical junction field effect transistor in cascode configuration

机译：级联配置的3.3 kV双通道掺杂SiC垂直结场效应晶体管的静态和开关特性

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A silicon-carbide (SiC) junction field-effect transistor (JFET)/Si metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) cascode is a good solution owing to its high reliability, low on-resistance, high switching speed, and good gate controllability. A 3.3 kV SiC vertical JFET using a double channel doping technique is proposed in this paper. The characteristics of a cascode including the developed JFET are also presented. A blocking voltage higher than 4.0 kV and a low on-resistance of 14.7 m Omega cm(2) were realized. The saturation current of the cascode was suppressed by controlling the threshold voltage of the JFET. Moreover, small switching losses were obtained. (C) 2015 The Japan Society of Applied Physics
机译：碳化硅（SiC）结场效应晶体管（JFET）/硅金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）共源共栅是一种很好的解决方案，因为它具有高可靠性，低导通电阻，高开关速度和良好的门控性。本文提出了一种采用双通道掺杂技术的3.3 kV SiC垂直JFET。还介绍了包括已开发的JFET的共源共栅特性。实现了高于4.0 kV的阻断电压和14.7 m Omega cm（2）的低导通电阻。通过控制JFET的阈值电压可以抑制共源共栅的饱和电流。而且，获得了小的开关损耗。 （C）2015年日本应用物理学会

著录项

  • 来源
    《Japanese journal of applied physics》 |2015年第4s期|04DP15.1-04DP15.5|共5页
  • 作者

    Shimizu Haruka; Akiyama Satoru; Yokoyama Natsuki; Shima Akio; Shimamoto Yasuhiro;

  • 作者单位

    Hitachi Ltd, Cent Res Lab, Kokubunji, Tokyo 1878601, Japan.;

    Hitachi Ltd, Cent Res Lab, Kokubunji, Tokyo 1878601, Japan.;

    Hitachi Ltd, Cent Res Lab, Kokubunji, Tokyo 1878601, Japan.;

    Hitachi Ltd, Cent Res Lab, Kokubunji, Tokyo 1878601, Japan.;

    Hitachi Ltd, Cent Res Lab, Kokubunji, Tokyo 1878601, Japan.;

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