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机译:漂移区中具有部分氧化物柱的新型绝缘体上硅横向功率器件
Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing, Jiangsu 210003, China;
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Department of Computer Science and Information Engineering, Asia University, Taichung 41354, Taiwan;
机译:利用掺杂工程漂移区改善部分绝缘体上硅横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管的性能
机译:绝缘体上硅上的横向双扩散金属氧化物半导体的漂移区中的薄层氧化物:一种新型器件结构,可实现可靠的高温功率晶体管
机译:超级领域板技术,可以为横向动力装置提供电荷平衡效果而不占据漂移区
机译:高压DI横向功率器件的阶跃漂移掺杂分布
机译:基于氮化镓功率器件的射频DC-DC电源转换的基于开关电容器的部分电源架构的设计和分析。
机译:适用于可印刷自供电光电化学装置的天然表面氧化物精选液态金属
机译:通过有效浓度剖面概念分析和横向动力装置的横向动力装置
机译:siC离散功率器件 - 平面6H-siCaCCUFET的分析和优化;平面横向沟道siC垂直高功率JFET;平面横向通道mEsFET-a新型siC垂直功率器件;通过热壁化学气相沉积Chara生长