...
机译:应变积累对InGaAs / GaAsP多量子阱太阳能电池的影响:原位应变测量与电池性能之间的直接关联
Research Center for Advanced Science and Technology, The University of Tokyo, Meguro, Tokyo 153-8904, Japan;
School of Engineering, The University of Tokyo, Bunkyo, Tokyo 113-8656, Japan;
Research Center for Advanced Science and Technology, The University of Tokyo, Meguro, Tokyo 153-8904, Japan;
School of Engineering, The University of Tokyo, Bunkyo, Tokyo 113-8656, Japan,Institute of Engineering Innovation, The University of Tokyo, Bunkyo, Tokyo 113-8656, Japan;
Research Center for Advanced Science and Technology, The University of Tokyo, Meguro, Tokyo 153-8904, Japan,School of Engineering, The University of Tokyo, Bunkyo, Tokyo 113-8656, Japan;
机译:应变对InGaAs / GaAsP多量子阱太阳能电池性能的影响与原位曲率监测相关
机译:嵌入p-i-n GaAs太阳能电池的应变平衡InGaAs / GaAsP超晶格结构的微带形成和光学性质的研究
机译:堆叠数量对应变平衡InGaAs / GaAsP多量子阱插入太阳能电池中光激发载流子的热逃逸以及非辐射和辐射复合的影响
机译:InGaAs / GaAsP量子阱太阳能电池的原位反射光谱和性能分析:全面了解应变累积对太阳能电池性能的影响
机译:通过使用应变平衡和分布布拉格反射器优化InGaAs量子阱,改善GaAs太阳能电池中的子带隙载体收集
机译:机械堆叠和引线键合组合制造的III–V // Si和III–V // InGaAs多结太阳能电池的性能比较
机译:InGaas / Gaasp应变平衡多量子线,生长在错误定向的Gaas衬底上,用于高效太阳能电池