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机译:一种用于化学机械抛光的新型铈基三元氧化物浆料CeTi_2O_6
Electronic Materials R&D Center, Hitachi Chemical Co., Ltd., 1380-1 Nishihara, Tarasaki, Hitachi-Naka, Ibaraki 312-0003, Japan;
chemical-mechanical polishing (CMP); CeTi_2O_6; ceria (CeO_2); brannerite structure; removal rate; Pechini polymerizable complex method;
机译:使用二氧化钼浆料对铜进行化学机械抛光
机译:过氧化氢和氧化铝对柠檬酸浆液中铜化学机械抛光的表面特性的影响
机译:铝合金薄膜的化学机械抛光:浆料化学性质和抛光机理
机译:氢氧化钾化学机械抛光浆料中GE2SB2TE5薄膜的电化学感应
机译:用于微电子应用中的多晶硅,二氧化硅和氮化硅膜化学机械抛光的新型浆料配方和相关机理。
机译:KDP油包水型微乳液用于KDP晶体的超精密化学机械抛光
机译:化学机械抛光中浆料流动的分析