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首页> 外文期刊>Japanese journal of applied physics >Impact of Forward Substrate Bias on Threshold Voltage Fluctuation in Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors
【24h】

Impact of Forward Substrate Bias on Threshold Voltage Fluctuation in Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors

机译：前向衬底偏置对金属氧化物半导体场效应晶体管阈值电压波动的影响

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The effect of forward substrate (body) bias on threshold voltage (V_(th)) fluctuation in metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFET) and its device parameter [e.g., gate length, substrate impurity concentration, gate oxide thickness (effective oxide thickness), etc.] dependence are investigated using a charge-sharing model. It is predicted that, through the application of a forward substrate bias of 0.5 V, V_(th) fluctuation is suppressed by up to 20% and the device parameter sensitivity of V_(th) is reduced in sub-100-nm devices. An experimental result demonstrating the effect of forward substrate bias on V_(th) fluctuation suppression is also presented.
机译：前向衬底（主体）偏置对金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的阈值电压（V_（th））波动的影响及其器件参数（例如，栅极长度，衬底杂质浓度，栅极氧化物厚度（有效电荷厚度）等]依赖性使用电荷共享模型进行研究。可以预见的是，通过施加0.5 V的正向基板偏置，可以将V_（th）的波动抑制高达20％，并且在100nm以下的器件中，V_（th）的器件参数灵敏度会降低。实验结果表明，衬底正向偏置对V_（th）波动抑制的影响。

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