机译:圆形直流磁控溅射的多尺度蒙特卡洛模拟:磁控管设计对靶冲蚀和膜沉积的影响
Semiconductor R & D Center, Samsung Electronics Co., Ltd., San #24 Nongseo-ri, Giheung-eup Yongin-city, Gyeonggi-do 449-711, R. O. Korea;
magnetron sputtering; Monte Carlo simulation; erosion; deposition; topography;
机译:射频-直流耦合磁控溅射在W薄膜沉积过程中氩原子迁移的蒙特卡罗模拟
机译:通过多尺度蒙特卡罗模拟和实验沉积,通过反应磁控溅射在TiO2薄膜生长过程中理解能量颗粒在TiO2薄膜生长期间的作用
机译:圆形直流磁控溅射系统中等离子体产生和成膜的多尺度模拟
机译:磁控溅射中靶侵蚀的粒子内蒙特卡罗分析
机译:溅射靶腐蚀及其对长时间直流磁控溅射镀膜的影响
机译:外延Pd(111)/ Al2O3(0001)薄膜的超高真空直流磁控溅射沉积
机译:通过倾斜相对的目标DC磁控溅射法在低温下沉积非晶ITO薄膜。