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Effects of Photoresist Polymer Molecular Weight and Acid-Diffusion on Line-Edge Roughness

机译：光刻胶聚合物的分子量和酸扩散对线边缘粗糙度的影响

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Important factors contributing to line-edge roughness (LER) of chemically amplified resists are, among others, acid diffusion, and photoresist polymer molecular weight (M_W). Their effects on the final LER are combined and simulations indicated that acid diffusion can be the major LER modifying factor. Acid-diffusion increases LER overall in a chemically amplified resist in comparison with a conventional one under the same deprotection fraction. In addition, extremely high values of acid-diffusion range can result in smaller LER for higher M_W polymers. Under normal acid diffusion conditions, the effect M_W on LER is seen to be of secondary importance. Explanations are given based on the critical ionization model for the resist film dissolution, and experimental verification is done with top-down scanning electron microscope (SEM) images for extreme-ultraviolet lithography (EUVL) photoresist.
机译：导致化学放大的抗蚀剂的线边缘粗糙度（LER）的重要因素尤其是酸扩散和光致抗蚀剂聚合物分子量（M_W）。结合它们对最终LER的影响，模拟表明酸扩散可能是LER的主要改性因子。在相同的脱保护分数下，与传统的抗蚀剂相比，酸扩散增加了化学放大抗蚀剂中的LER。另外，酸扩散范围的极高值可导致较高M_W聚合物的LER较小。在正常的酸扩散条件下，M_W对LER的影响被认为是次要的。根据用于抗蚀剂膜溶解的关键电离模型给出了解释，并使用自顶向下扫描电子显微镜（SEM）图像进行了极紫外光刻（EUVL）光刻胶的实验验证。

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