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【24h】

Resistivity of Thin Copper Interconnection Layers

机译：薄铜互连层的电阻率

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Resistivity is observed quantitatively in a thin electroplated copper layer. A resistivity of 2.6μΩ·cm is observed in a 600-nm-thick as-deposited copper layer by conventional electroplating. This resistivity increases rapidly with decreasing thickness and reaches 7.8μΩ·cm at a thickness of 75 nm. This rapid increase is mainly due to the increase in the orientation ratio of the copper (111)/(200). The resistivity in the as-deposited layer is maintained at 2.2 μΩ·cm in a 75 nm low resistivity layer with a low orientation ratio. Such a low-resistivity thin layer is electroplated practically by newly developed process. The preparation of a low-stress seed layer is also required in this electroplating process.
机译：在薄的电镀铜层中定量观察到电阻率。通过常规电镀在厚度为600 nm的沉积铜层中观察到2.6μΩ·cm的电阻率。该电阻率随着厚度的减小而迅速增加，并且在75 nm的厚度下达到7.8μΩ·cm。这种快速增加主要是由于铜（111）/（200）的取向比增加。在具有低取向比的75nm低电阻率层中，沉积层中的电阻率保持在2.2μΩ·cm。这种低电阻率的薄层实际上是通过新开发的方法进行电镀的。在该电镀过程中还需要制备低应力种子层。

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