...
机译:银中热蚀坑与位错的相关性
Metals Research Laboratory, Carnegie Institute of Technology, Pittsburgh, Pennsylvania;
机译:生长和热循环退火HGCDTE(211)薄膜中蚀刻坑和脱位的相关性
机译:银错位蚀刻坑
机译:银单晶中位错的蚀刻坑
机译:4H-SiC外延和热退火过程中热应力与界面位错形成的相关性
机译:通过蚀刻坑技术对轴轴生长的p型锗晶片脱位的检查
机译:含金属的盐水如何用银在墨西哥超热脉中排列
机译:生长和热循环退火HGCDTE(211)膜中蚀刻坑和脱位的相关性
机译:用磷酸和熔融氢氧化钾分子束外延生长氮化镓中位错蚀刻坑的观察与研究