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【24h】

Effect of HCl on the SiGe growth kinetics in reduced pressure-chemical vapor deposition

机译：HCl对减压化学气相沉积中SiGe生长动力学的影响

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We have studied the growth kinetics of Si and SiGe using a dichlorosilane + germane + hydrochloric acid chemistry. Adding HCl to SiH_2Cl_2 leads to a slight decrease of the growth rate at high temperature (same activation energies E_a=4kcal mol~-1 with or without HCl, however). A more consequent drop occurs in the low-temperature region, Where the Si growth rate is limited by the desorption of the Cl atoms (instead of the H atoms) from the growing surface (E_a=87→48 kcal mol~-1). Adding HCl leads at 750 deg. C to a significant increase in the germanium content x of SiGe layers.
机译：我们已经使用二氯硅烷+锗烷+盐酸化学方法研究了Si和SiGe的生长动力学。在SiH_2Cl_2中添加HCl会导致高温下的生长速率略有下降（但是，在有或没有HCl的情况下，相同的活化能E_a = 4kcal mol〜-1）。随之而来的下降发生在低温区域，在该区域，Si的生长速度受到从生长表面解吸的Cl原子（而不是H原子）的限制（E_a = 87→48 kcal mol〜-1）。在750度下添加HCl铅。 C大大提高了SiGe层的锗含量x。

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