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首页> 外文期刊>Journal of Crystal Growth >Nucleation of hexagonal AlN in nitridized AlAs buffer on (001) GaAs substrate
【24h】

Nucleation of hexagonal AlN in nitridized AlAs buffer on (001) GaAs substrate

机译：（001）GaAs衬底上氮化AlAs缓冲液中六方AlN的成核

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Hexagonal GaN film has been grown on (001) GaAs substrate with nitridized AlAs buffer layer. The (0001) plane of the hexagonal GaN(h-GaN) is parallel to the (001) plane of the GaAs substrate. The nitridized AlAs/GaAs(001) material was analyzed by high-resolution transmission electron microscopy (HRTEM) and atomic force microscopy (AFM). The HRTEM observations show that hexagonal AlN(h-AlN) can nucleate on the AlAs surface after nitridation with its (0001) plane parallel to the (001) plane of the AlAs. Some cubic AlN(c-AlN) micro grains were also observed. The close-packed atom planes of the c-AiN grains are parallel to the (001) planes of the AlAs. The AFM result shows That the surface morphology of the nitridized AlAs is rough with high-density dots. Such AlN layer can be taken as a Prelayer for growing h-GaN on the (001) GaAs substrate.
机译：六角形GaN膜已在具有氮化AlAs缓冲层的（001）GaAs衬底上生长。六角形GaN（h-GaN）的（0001）平面平行于GaAs衬底的（001）平面。通过高分辨率透射电子显微镜（HRTEM）和原子力显微镜（AFM）对氮化的AlAs / GaAs（001）材料进行了分析。 HRTEM观察结果表明，氮化后六边形AlN（h-AlN）可以在AlAs表面成核，其（0001）平面平行于AlAs的（001）平面。还观察到一些立方AlN（c-AlN）晶粒。 c-AlN晶粒的紧密堆积的原子平面平行于AlAs的（001）平面。 AFM结果表明，氮化AlAs的表面形貌粗糙，且具有高密度点。这样的AlN层可以用作在（001）GaAs衬底上生长h-GaN的预层。

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