Epitaxial growth of (001)-oriented and (116)-oriented SrBi_2Ta_2O_9 thin films by chemical Solution deposition method

J.H.Kim; T.-J.Ha; C.I.Cheon

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【24h】

Epitaxial growth of (001)-oriented and (116)-oriented SrBi_2Ta_2O_9 thin films by chemical Solution deposition method

机译：化学溶液沉积法（001）和（116）取向SrBi_2Ta_2O_9薄膜的外延生长

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Epitaxial (001)-oriented and (116)-oriented SrBi_2Ta_2O_9 (SBT) thin films have been prepared by the chemical solution deposition method on (001)- and (011)-SrTiO_3 (STO) substrates, respectively. Crystal orientation and microstructure were characterized using four-circle X-ray diffractometer (XRD) and transmission electron microscopy (TEM)

机译：通过化学溶液沉积法分别在（001）-和（011）-SrTiO_3（STO）衬底上制备了外延（001）取向和（116）取向的SrBi_2Ta_2O_9（SBT）薄膜。使用四圆X射线衍射仪（XRD）和透射电子显微镜（TEM）表征晶体的取向和微观结构

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来源
《Journal of Crystal Growth》 |2001年第4期|p.366-371|共6页
作者
J.H.Kim; T.-J.Ha; C.I.Cheon;
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作者单位

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收录信息美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类晶体学;
关键词
A1.Characterization; A3.Solid phase epitaxy; B1.Inorganic compounds;

机译：A1。特性化;A3。固相外延;B1。无机化合物;

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