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首页> 外文期刊>Journal of Crystal Growth >Low-temperature metalorganic vapor-phase epitaxial growth of InGaAs layers on InP substrates
【24h】

Low-temperature metalorganic vapor-phase epitaxial growth of InGaAs layers on InP substrates

机译：InP衬底上InGaAs层的低温金属有机气相外延生长

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InGaAs epitaxial growth on InP substrates at low temperatures (below 560 deg C) was examined by low-pressure metalorganic vapor-phase epitaxy using TMIn, TEGa, and TBAs as growth precursors in a horizontal reactor. It was not possilbe to grow InGaAs have below 480 deg C under usual growth conditions, and the limiting factor to lower the growth temperature in this growth system is found to be the decomposition of TEGa in the presence of TMIn. A new method in which InP dummy wafer is introduced upstream from the substrate in the gas flow to decompose the TEGa is successfully applied to obtain InGaAs epitaxial layers at lower growth temperatures.
机译：通过在水平反应器中使用TMIn，TEGa和TBAs作为生长前体，通过低压金属有机气相外延研究了InP衬底在低温（低于560℃）下InGaAs外延生长。不可能在通常的生长条件下使InGaAs的生长温度低于480℃，发现该生长系统中降低生长温度的限制因素是在TMIn存在下TEGa的分解。将InP虚设晶圆引入气流中的基板上游以分解TEGa的新方法已成功应用于在较低的生长温度下获得InGaAs外延层。

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