Understanding the cubic A1N growth plane from first principles

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• 来源
  《Journal of Crystal Growth》 |2010年第20期|p.2892-2895|共4页
• 作者

  E. Rauls; J. Wiebe; W.G. Schmidt;

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• 作者单位

  Lehrstuhl fuer Theoretische Physik, Universitaet Paderborn, 33095 Paderbom, Germany;

  rnLehrstuhl fuer Theoretische Physik, Universitaet Paderborn, 33095 Paderbom, Germany;

  rnLehrstuhl fuer Theoretische Physik, Universitaet Paderborn, 33095 Paderbom, Germany;

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• 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
• 原文格式 PDF
• 正文语种 eng
• 中图分类
• 关键词

  A1. Growth models; A1. Surface structure; A1. Computer simulation; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting aluminum compounds;

  机译：A1。增长模型;A1。表面结构;A1。计算机仿真;A3。分子束外延;B1。氮化物;B2。半导体铝化合物;