...
  • 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Journal of Crystal Growth >Cathodoluminescence of epitaxial GaN and ZnO thin films for scintillator applications
【24h】

Cathodoluminescence of epitaxial GaN and ZnO thin films for scintillator applications

机译：闪烁体应用的外延GaN和ZnO薄膜的阴极发光

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

A comparative study of cathodoluminescence ultraviolet photon yields and decay times of large area GaN and zinc oxide (ZnO) layers grown for scintillator applications by metalorganic vapor phase epitaxy is presented. Silicon-doped GaN and non-intentionally-doped ZnO yield up to 1.4 ± 0.2 photons/kVe~-and 1.3 ± 0.2 photons/kVe~- at room-temperature, respectively. For GaN the decay times scatter between 0.4 and 0.9 ns, and for ZnO between 2.5 and 3.0 ns. The GaN and the ZnO absorption coefficients, a, internal efficiencies, η_i, and radiative constants, B, are determined. The characteristics of thin-film scintillators based on these materials are compared with commercially available granular scintillators.
机译：提出了通过有机金属气相外延生长用于闪烁体的大面积GaN和氧化锌（ZnO）层的阴极发光紫外光子产量和衰减时间的比较研究。在室温下，硅掺杂的GaN和非故意掺杂的ZnO的产量分别高达1.4±0.2光子/ kVe〜-和1.3±0.2光子/ kVe〜-。对于GaN，衰减时间分散在0.4到0.9 ns之间，对于ZnO，则在2.5到3.0 ns之间。确定GaN和ZnO的吸收系数a，内部效率η_i和辐射常数B。将基于这些材料的薄膜闪烁体的特性与市售的颗粒状闪烁体进行了比较。

著录项

  • 来源
    《Journal of Crystal Growth》 |2009年第16期|3984-3988|共5页
  • 作者

    H.P.D. Schenk; S.I. Borenstain; A. Berezin; A. Schoen; E. Cheifetz; A. Dadgar; A. Krost;

  • 作者单位

    El-Mul Technologies Ltd., P.O. Box 571 Soreq, Yavne 81104, Israel CRHEA-CNRS, Rue Bernard Gregory, Sophia Antipolis, 06560 Valbonne, Prouvenco, France;

    El-Mul Technologies Ltd., P.O. Box 571 Soreq, Yavne 81104, Israel;

    El-Mul Technologies Ltd., P.O. Box 571 Soreq, Yavne 81104, Israel;

    El-Mul Technologies Ltd., P.O. Box 571 Soreq, Yavne 81104, Israel;

    El-Mul Technologies Ltd., P.O. Box 571 Soreq, Yavne 81104, Israel;

    Otto-von-Guericke-Universitaet Magdeburg, Fakultaet fuer Naturwissenschaften, Abteilung Halbleiterepitaxie, Postfach 4120, 39016 Magdeburg, Germany;

    Otto-von-Guericke-Universitaet Magdeburg, Fakultaet fuer Naturwissenschaften, Abteilung Halbleiterepitaxie, Postfach 4120, 39016 Magdeburg, Germany;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

    A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B1. Oxides; B1. Zinc compounds; B2. Phosphors; B2. Scintillator materials;

    机译：A3。金属有机气相外延;B1。氮化物;B1。氧化物;B1。锌化合物;B2。荧光粉B2。闪烁体材料;

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号