Reducing dislocations of Al-rich AlGaN by combining A1N buffer and AlN/Al_(0.8)Ga_(0.2)N superlattices

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• 来源
  《Journal of Crystal Growth》 |2008年第6期|p.1088-1092|共5页
• 作者

  M.Z. Peng; L.W. Guo; J. Zhang; X.L. Zhu; N.S. Yu; J.F. Yan; H.H. Liu; H.Q. Jia; H. Chen; J.M. Zhou;

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• 作者单位

  Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics, Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, P.O. Box 603, Beijing 100080, PR China;

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• 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
• 原文格式 PDF
• 正文语种 eng
• 中图分类 晶体学;
• 关键词

  A1. Cross-sectional TEM; A3. A1N/AlGaN SLs; A3. Al_xGa_(1-x)N; A3. MOCVD;

  机译：A 1。 CRScationscale已经;1 N /杜松子酒;氧（1-X）n;a。戴上手铐;