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机译:镁掺杂对RF磁控溅射沉积(Pb,Sr)TiO_3薄膜生长和介电性能的影响
State Key Laboratory of Silicon Materials, Department of Materials Science and Engineering, Zhejiang University, Hangzhou 310027, PR China;
A1. Doping; A3. Sputtering; B1. Perovskite; B2. Dielectric materials;
机译:磁控共溅射ZrO_2掺杂Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3薄膜的介电性能改善
机译:K掺杂对射频磁控溅射制备Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3薄膜介电和可调谐性能的影响
机译:硅上磁控溅射制备Pb_(0.4)Sr_(0.6)TiO_3薄膜的微波评估:与Ba_(0.3)Sr_(0.7)TiO_3薄膜的性能比较
机译:射频磁控溅射沉积Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3薄膜的介电可调性
机译:射频磁控溅射沉积的氧化钇稳定的氧化锆薄膜的结构和材料性能评估。
机译:在不加热衬底的情况下通过射频磁控等离子体溅射沉积的铝掺杂氧化锌薄膜的空间分辨光电性能
机译:通过射频磁控溅射沉积的Pb (Zr,Sn)Ti NbO3膜的结构和介电性能