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首页> 外文期刊>Journal of Crystal Growth >Epitaxial growth of HfB_2(0001) on Si(001) by etching through a SiO_2 layer
【24h】

Epitaxial growth of HfB_2(0001) on Si(001) by etching through a SiO_2 layer

机译：通过蚀刻SiO_2层在Si（001）上外延生长HfB_2（0001）

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Using the single-source chemical vapor deposition (CVD) precursor Hf(BH_4)_4, HfB_2 films can be grown epitaxially on Si substrates at 1000 ℃ by etching through a pre-existing SiO_2 layer. Despite the different symmetries in the plane of the interface, the film is oriented with HfB_2 (0001)‖Si(001) and the X-ray rocking curve is exceptionally sharp, with full-width at half-maximum (FWHM) = 0.076°. Top-view scanning electron microscope (SEM) micrographs show that the film consists of micrometer size domains on the substrate. X-ray pole figures and electron backscattering diffraction studies indicate the existence of four types of domains with in-plane orientations rotated 45° from each other, HfB_2[2110]‖Si[100] and HfB_2[2110]‖Si[110].
机译：使用单源化学气相沉积（CVD）前驱体Hf（BH_4）_4，可以通过蚀刻预先存在的SiO_2层在1000℃下在Si衬底上外延生长HfB_2膜。尽管界面平面的对称性不同，但薄膜的取向为HfB_2（0001）‖Si（001），并且X射线摇摆曲线异常清晰，半峰全宽（FWHM）= 0.076° 。顶视图扫描电子显微镜（SEM）显微照片显示，该膜由基底上的微米尺寸区域组成。 X射线极图和电子反向散射衍射研究表明，存在平面内取向彼此旋转45°的四种类型的畴，即HfB_2 [2110]” Si [100]和HfB_2 [2110]” Si [110]。

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