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Memory Effect Of Ge In Ⅲ-Ⅴ Semiconductors

机译：Ge在Ⅲ-Ⅴ族半导体中的记忆效应

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Epitaxial growth of germanium is attractive for Ge/Ⅲ-Ⅴ hetero devices such as multi-junction solar cells. We investigated the growth of Ge with iso-butyl germane (IBGe) as germanium source and found a strong memory effect in our A1X2600-G3 metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE) reactor. The germanium background led to a higher n-type doping of i-GaAs and strongly reduced the photoluminescence (PL) intensity of Al_(0.3)Ga_(0.7)As and Ga_(0.5)In_(0.5)P. With secondary ion mass spectroscopy (SIMS) the quantity of Ge in Al_(0.3)Ga_(0.7)As could be determined to be in the range of 2 × 10~(17)cm~(-3), whereas a Ge-atom concentration in Ga_(0.5)In_(0.5)P of up to 2 ×10~(18)cm~(-3) was measured. The memory effect could be eliminated by changing all contaminated parts inside the MOVPE reactor.
机译：锗的外延生长对Ge /Ⅲ-Ⅴ异质器件（如多结太阳能电池）具有吸引力。我们研究了异丁基锗烷（IBGe）作为锗源的Ge的生长，并在我们的A1X2600-G3金属有机气相外延（MOVPE）反应器中发现了强大的记忆效应。锗背景导致i-GaAs的n型掺杂更高，并大大降低了Al_（0.3）Ga_（0.7）As和Ga_（0.5）In_（0.5）P的光致发光（PL）强度。通过二次离子质谱（SIMS），可以确定Al_（0.3）Ga_（0.7）As中的Ge量在2×10〜（17）cm〜（-3）范围内，而Ge原子测量了Ga_（0.5）In_（0.5）P中的浓度最高为2×10〜（18）cm〜（-3）。可以通过更换MOVPE反应器内的所有污染部件来消除记忆效应。

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