Growth and characterization of CdTe:Ge:Yb

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• 来源
  《Journal of Crystal Growth》 |2008年第9期|p.2076-2079|共4页
• 作者

  N.V. Sochinskii; E. Saucedo; M. Abellan; J. Rodriguez-Fernandez; P. Hidalgo; J. Piqueras; C.M. Ruiz; V. Bermudez; E. Dieguez;

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• 作者单位

  Instituto de Microelectronica de Madrid, CNM-CSIC, Parque Tecnologico de Madrid, Tres Cantos, 28760 Madrid, Spain;

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• 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
• 原文格式 PDF
• 正文语种 eng
• 中图分类 晶体学;
• 关键词

  A2. Bridgman technique; A3. Vapor-phase epitaxy; B1. CdTe; B2. Semiconducting II-VI;

  机译：A2。布里奇曼技术;A3。汽相外延;B1。 CdTe;B2。半导体II-VI;