Growth of thick films CdTe from the vapor phase

R. Sorgenfrei; D. Greiffenberg; K.H. Bachem; L. Kirste; A. Zwerger; M. Fiederle

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Growth of thick films CdTe from the vapor phase

机译：从气相生长厚膜CdTe

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CdTe films with a thickness of 100 μm were grown by molecular beam epitaxy (MBE) on semi-insulating LEC GaAs (001) substrates. The films were characterized by X-ray diffraction (XRD), photoluminescence (PL), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), I/V cha

机译：通过分子束外延（MBE）在半绝缘的LEC GaAs（001）衬底上生长厚度为100μm的CdTe膜。通过X射线衍射（XRD），光致发光（PL），X射线光电子能谱（XPS），I / V cha

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来源
《Journal of Crystal Growth》 |2008年第9期|p.2062-2066|共5页
作者
R. Sorgenfrei; D. Greiffenberg; K.H. Bachem; L. Kirste; A. Zwerger; M. Fiederle;
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作者单位

Freiburger Materialforschungszentrum, Stefan-Meier-Str. 21, D-79104 Freiburg im Breisgau, Germany;

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收录信息美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类晶体学;
关键词
A1. Photoluminescence; A1. X-ray diffraction; A1. X-ray photoelectron spectroscopy; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Thick films; B1. Cadmium telluride;

机译：A1。光致发光;A1。 X射线衍射;A1。 X射线光电子能谱;A3。分子束外延;A3。厚膜;B1。碲化镉;

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