Nanostructure of GaAs_(0.88)Sb_(0.10)N_(0.02)/InP quantum wells grown by metalorganic chemical vapor deposition on InP

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• 来源
  《Journal of Crystal Growth》 |2008年第9期|p.2377-2381|共5页
• 作者

  X. Song; S.E. Babcock; C.A. Paulson; T.F. Kuech; J.Y.T. Huang; D.P. Xu; J. Park; L.J. Mawst;

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• 作者单位

  Department ofMaterials Science and Engineering, University of Wisconsin-Madison, Madison, WI53706-1691, USA;

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• 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
• 原文格式 PDF
• 正文语种 eng
• 中图分类 晶体学;
• 关键词

  A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

  机译：A3。金属有机气相外延;B1。氮化物;B2。半导体III-V材料;