...
机译:金属有机气相外延法无催化剂制备InP和InP(N)纳米线
Optoelectronics Laboratory, Helsinki University of Technology, Micronova, P. O. Box 3500, FIN-02015 TKK, Finland;
A1. Catalyst-free growth; A3. MOVPE; A3. Nanowire; B2. InP; B2. InPN;
机译:选择性区域金属有机气相外延法制备InP / InAs / InP核-多壳异质结构纳米线
机译:金属有机气相外延法垂直排列的InP纳米线的汽-液-固生长
机译:GaN纤锌矿InP纳米线的金属有机气相外延
机译:金属有机气相外延生长的InP / InAs核-多壳异质结构纳米线
机译:用于量子盒激光器的GaInAsP / InP有机金属气相外延(OMVPE)
机译:通过金属有机化学气相沉积在硅(100)上无催化剂的InP纳米线生长阶段
机译:选择性区域金属有机气相外延法制备InP / InAs / InP核-多壳异质结构纳米线
机译:金属有机气相外延1986.金属有机气相外延国际会议论文集(第3期)于1986年4月13日至17日在加利福尼亚州环球城举行