Effect of antimony on the density of InAs/Sb:GaAs(l 00) quantum dots grown by metalorganic chemical-vapor deposition

著录项

• 来源
  《Journal of Crystal Growth》 |2007年第1期|548-552|共5页
• 作者

  Denis Guimard; Masao Nishioka; Shiro Tsukamoto; Yasuhiko Arakawa;

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• 作者单位

  Nanoelectronics Collaborative Research Center and Laboratory for Integrated Micro Mechatronic Systems/Centre National de la Recherche Scientifique (UMI 2820)—IIS, Institute of Industrial Science, University of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-ku, Tokyo 153-850;

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• 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
• 原文格式 PDF
• 正文语种 eng
• 中图分类 晶体学;
• 关键词

  A1. nanostructure; A3. metalorganic chemical-vapor deposition; B2. semiconducting Ⅲ-Ⅴ material; B2. semiconducting indium compound;

  机译：A1。纳米结构A3。金属有机化学气相沉积;B2。半导体Ⅲ-Ⅴ族材料;B2。半导体铟化合物;