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Lateral self-arrangement of self-assembled InAs quantum dots by an intentional-induced dislocation network

机译：自组装InAs量子点通过有意诱导的位错网络的横向自排列

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We study the ordering of self-assembled InAs quantum dots (SAQD) along [110] and [110] direction induced by a misfit dislocation network (MDN). The strained InGaAs buffer layer in which the MDN arises was adjusted in thickness and In content resulting in a high density of intentional misfit dislocations at a low surface roughness. Furthermore, we optimized the amount of InAs deposited for SAQD growth. AFM measurements testified an enhancement of SAQD generation at the misfit dislocation lines, leading to an alignment of quantum dots as chains with a length of at least 100 μm. By careful adjustment of the growth parameters of the SAQD, their formation between the chains is suppressed. Photoluminescence (PL) measurements reveal red shifted PL maxima of the aligned SAQD in comparison to the unordered ones.
机译：我们研究了由错配位错网络（MDN）诱导的沿[110]和[110]方向的自组装InAs量子点（SAQD）的顺序。调整了产生MDN的应变InGaAs缓冲层的厚度和In含量，从而在较低的表面粗糙度下实现了高密度的故意错配位错。此外，我们优化了为SAQD增长而沉积的InAs量。 AFM测量证明在错配位错线处SAQD产生的增强，导致量子点排列成长度至少为100μm的链。通过仔细调整SAQD的生长参数，可以抑制它们在链之间的形成。光致发光（PL）测量显示与未排序的SAQD相比，对齐的SAQD的红移PL最大值。

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