Electron beam induced orientation selective epitaxial growth of CeO_2(100) layers on Si(100) substrates

Tomoyasu Inoue; Tomohiro Saito; Shigenari Shida

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【24h】

Electron beam induced orientation selective epitaxial growth of CeO_2(100) layers on Si(100) substrates

机译：电子束在Si（100）衬底上诱导CeO_2（100）层的取向选择性外延生长

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From studies on the epitaxial growth of CeO_2 layers on Si(100) substrates using reactive DC magnetron sputtering, it has been found that the epitaxial CeO_2 layer with (100) or (110) orientation is selectively grown by controlling substrate bias and the growth rate. Optimum bias for the CeO_2(100) layer growth was ±15 V. In order to develop this technology into two-dimensional orientation selectivity, we attempt to grow CeO_2(100) by low energy electron irradiation, as an alternative way to substrate bias application. It proved that electron beams in two energy regions of 30-40 and 80-100eV are effective on preferential growth of CeO_2(100) layers.

机译：通过使用反应性直流磁控溅射在Si（100）衬底上外延生长CeO_2层的研究发现，通过控制衬底偏压和生长速率可以选择性地生长具有（100）或（110）取向的外延CeO_2层。 CeO_2（100）层生长的最佳偏压为±15V。为了将此技术发展为二维取向选择性，我们尝试通过低能电子辐照来生长CeO_2（100），以作为替代衬底偏压的方法。证明了在30-40eV和80-100eV的两个能量区域中的电子束对CeO_2（100）层的优先生长有效。

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来源
《Journal of Crystal Growth》 |2007年第1期|1-3|共3页
作者
Tomoyasu Inoue; Tomohiro Saito; Shigenari Shida;
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作者单位

Department of Electronics and Computer Science, Iwaki Meisei University, 5-5-1 Chuodai lino, Iwaki 970-8551, Japan;

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收录信息美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类晶体学;
关键词
A1. Characterization; A1. Crystal morphology; A1. Defects; A3. Selective epitaxy; B1. Oxides; B2. Dielectric materials;

机译：A1。表征;A1。晶体形态A1。缺陷;A3。选择性外延;B1。氧化物;B2。介电材料;

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