EPITAXIAL GROWTH OF A HIGH QUALITY MAGNESIUM OXIDE FILM USING A CUBIC SILICON CARBIDE BUFFER LAYER ON A SILICON (100) SUBSTRATE

• 1. 单晶硅上大面积(100)取向的金刚石膜的生长方法 [P] . 中国专利： CN1039595C . 1998.08.26
• 2. 单晶硅上大面积(100)取向的金刚石膜的生长方法 [P] . 中国专利： CN1132267A . 1996-10-02
• 3. 100 EPITAXIAL GROWTH OF A HIGH QUALITY MAGNESIUM OXIDE FILM USING A CUBIC SILICON CARBIDE BUFFER LAYER ON A SILICON 100 SUBSTRATE [P] . 韩国专利： KR20020011592A . 2002-02-09

  机译： 在硅100基质上使用立方碳化硅缓冲层制备高质量氧化镁膜的100表观生长

• 4. PROCESS FOR GROWING A MAGNESIUM OXIDE FILM ON A SILICON (100) SUBSTRATE COATED WITH A CUBIC SILICON CARBIDE BUFFER LAYER [P] . 欧洲知识产权局专利： EP1305823A4 . 2006-07-05

  机译： 在覆盖有立方碳化硅缓冲层的硅（100）基质上生长氧化镁膜的方法

• 5. PROCESS FOR GROWING A MAGNESIUM OXIDE FILM ON A SILICON (100) SUBSTRATE COATED WITH A CUBIC SILICON CARBIDE BUFFER LAYER [P] . 欧洲知识产权局专利： EP1305823A1 . 2003-05-02

  机译： 在覆盖有立方碳化硅缓冲层的硅（100）基质上生长氧化镁膜的方法

• 1. Epitaxial　Growth　of　YSZ　as　Bufer　Layers　for　High　Tc　Superconducting　Filmson　Si　Substrates [J] . 东南大学学报：英文版 . 1996,第001期
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