The growth of ZnSe by photo-assisted metalorganic chemcial vapor deposition (MOCVD)

Guangyou Yu; X.W. Fan; J.Y. Zhang

首页> 外文期刊>Journal of Crystal Growth >The growth of ZnSe by photo-assisted metalorganic chemcial vapor deposition (MOCVD)

【24h】

The growth of ZnSe by photo-assisted metalorganic chemcial vapor deposition (MOCVD)

机译：通过光辅助金属有机化学气相沉积（MOCVD）生长ZnSe

获取原文

获取原文并翻译 | 示例

掌桥外文数据库（机构版） >>

开具论文收录证明 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

ZeSe epitaxy layers were grownon (1 0 0)GaAs substrates by photo-assisted MOCVD using DMZn and DMSe as group II and VI sources, respectively. Irradiation can improve the growth rate efficently, but the irradiation intensity influences the growth rate and the crystalline quality negligibly in a large range. Due to an oxidation reaction on the surface of ZnSe, the growth rate and the flow ratio of group II and VI sources influence the crystalline quality.

机译：通过分别使用DMZn和DMSe作为II组和VI组源的光辅助MOCVD在（1 0 0）GaAs衬底上生长ZeSe外延层。辐照可以有效地提高生长速率，但是辐照强度在很大范围内对生长速率和晶体质量的影响可忽略不计。由于ZnSe表面的氧化反应，Ⅱ，Ⅵ族源的生长速率和流量比影响了结晶质量。

著录项

来源
《Journal of Crystal Growth》 |1999年第1期|p.77-82|共6页
作者
Guangyou Yu; X.W. Fan; J.Y. Zhang;
展开▼
作者单位

展开▼
收录信息美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类晶体学;
关键词
Photo-assisted; MOCVD; ZxSe;

机译：光辅助;MOCVD;硒化硒;

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. The reaction mechanisms for precursors in photo-assisted metalorganic-vapor-phase epitaxy growth of ZnSe [J] . Yasuhisa Fujita Journal of Crystal Growth . 2000,第期

机译：ZnSe光辅助金属有机汽相外延生长中前体的反应机理
2. Optimized Coalescence Method for the Metalorganic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) Growth of High Quality Al-Polarity AlN Films on Sapphire [J] . Qing Paduano, David Weyburne Japanese Journal of Applied Physics. Part 2, Letters & Express Letters . 2005,第1a7期

机译：优化的聚结方法用于在蓝宝石上生长高质量Al-Polarity AlN薄膜的金属有机化学气相沉积（MOCVD）
3. Comparative study on the growth characteristics of ZnO nanowires and thin films by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) [J] . Min-Chang Jeong, Byeong-Yun Oh, Woong Lee, Journal of Crystal Growth . 2004,第1a2期

机译：金属有机化学气相沉积（MOCVD）的ZnO纳米线和薄膜生长特性的比较研究
4. High-quality ZnSe on GaAs grown by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) using diethylzinc (DEZn) and diethyselenide (DESe) [C] . Jyh-Chia Chen, Univ. of Maryland/Baltimore County, Baltimore, Producibility of II-VI Materials and Devices . 1994

机译：使用二乙基锌（DEZn）和二乙硒化物（DESe）通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）生长的GaAs上的高质量ZnSe
5. Zinc beta-iminoesterates for the growth of zinc oxide via atmospheric pressure metalorganic chemical vapor deposition (AP-MOCVD). [D] . Onakoya, Olamide Onayemi. 2007

机译：β-亚氨基锌锌可通过大气压金属有机化学气相沉积（AP-MOCVD）来生长氧化锌。
6. Metalorganic chemical vapor deposition growth of InAs/GaSb type II superlattices with controllable AsxSb1-x interfaces [O] . Li-Gong Li, Shu-Man Liu, Shuai Luo, 2012

机译：具有可控AsxSb1-x界面的InAs / GaSb II型超晶格的金属有机化学气相沉积生长
7. The Growth of AlN Single Layer on Sapphire at Low Pressure using Metalorganic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) [O] . M.A.A.Z. Md Sahar, Z. Hassan, W.F. Lim, 2020

机译：使用金属化学气相沉积（MOCVD）在低压下在低压下的Aln单层在蓝宝石上的生长
8. Growth of In-rich InGaN Quantum Dots (QDs) by Metalorganic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) [R] . Yoon, E. 2006

机译：通过金属有机化学气相沉积（mOCVD）生长富InGaN量子点（QD）

The growth of ZnSe by photo-assisted metalorganic chemcial vapor deposition (MOCVD)

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅