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【24h】

Self-organization of the InGaAs/GaAs quantum dots superlattice

机译：InGaAs / GaAs量子点超晶格的自组织

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The mechanism of self-organization of quantum dots (QDs) during the growth of InGaAs/GaAs mutlilayers on GaAs multilayers on GaAs (1 0 0) was investigawted with cross-sectional transmission electron microsocpy (XTEM), and double-crystal X-ray diffraction (DCXD). We found that the QDs spacing in the first layer can affect the vertical alignment of QDs. There seems to exist one critical laterial QD spacing, below which merging of QDs with differnet initial size is found tio be the domainant mechanism leading to perfect vertical alignment. Once the critical value of QDs spacing is reached, thue InGaAs QDs of the first laeyr are simply reproduced in the upper laeyrs. The X-ray rocking curve celarly shows two sets of satellite peaks, which correspond to the QDs superlattice, and multi-quantum wells (QW) formed by the wetting layers around QDs.
机译：用截面透射电子显微镜（XTEM）和双晶X射线研究了GaAs（1 0 0）上GaAs多层膜上InGaAs / GaAs多晶层生长过程中量子点（QDs）的自组织机理。衍射（DCXD）。我们发现第一层中的QD间距会影响QD的垂直对齐方式。似乎存在一个关键的横向QD间距，在该间距下，发现具有不同净初始尺寸的QD合并是导致完美垂直对齐的域机制。一旦达到QD间距的临界值，就可以简单地在上部层中复制第一个层的InGaAs QD。 X射线摇摆曲线从容地显示了两组卫星峰，它们对应于QD的超晶格，以及由QD周围的润湿层形成的多量子阱（QW）。

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